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BSZ067N06LS3 G详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：20A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.7 毫欧 @ 20A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 35µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：67nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：5100pF @ 30V; 功率_最大：69W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-PowerVDFN; 供应商设备封装：PG-TSDSON-8（3.3x3.3）; 包装：带卷 (TR)

BSZ067N06LS3 G详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：20A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.7 毫欧 @ 20A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 35µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：67nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：5100pF @ 30V; 功率_最大：69W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-PowerVDFN; 供应商设备封装：PG-TSDSON-8（3.3x3.3）; 包装：Digi-Reel®

BSZ067N06LS3 G详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：20A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.7 毫欧 @ 20A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 35µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：67nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：5100pF @ 30V; 功率_最大：69W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-PowerVDFN; 供应商设备封装：PG-TSDSON-8（3.3x3.3）; 包装：剪切带 (CT)

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DC-600
卡导轨 Bivar Inc 18-DIP（0.600"，15.24mm） CARD GUIDE DEEP 6X0.08" BLK
DBMAM44SNMF0A101
D-Sub，D 形 - 外壳 ITT Cannon DSUB 44 F CRIMP NM LC CAD
DZ2700GNZ
配件 Littelfuse Inc SOD-128 GAUGE RING ACS DII 6A 500V GREEN